VSP008N10MSC、100V 85A N-
features n-channel,5v logic level control enhancement mode low on-resistance rds(on) @ vgs=4.5 v vitomos® ⅱ technology 100% avalanche test pb-free lead plating; rohs compliant
v(br)dss drain-source breakdown voltage vgs=0v, id=250μa 100 -- -- v dss i zero gate voltage drain current vds=100v,vgs=0v -- -- 1 μa zero gate voltage drain current( tj =125℃) vds=100v,vgs=0v -- -- 100 μa gss i gate-body leakage current vgs=±20v,vds=0v -- -- ±100 na vgs(th) gate threshold voltage vds=vgs,id=250μa 1.5 1.9 2.4 v rds(on) drain-source on-state resistance vgs=10v, id=20a -- 6 8 mω rds(on) drain-source on-state resistance vgs=4.5v, id=15a -- 7.5 11 mω dynamic electrical characteristics @ tj = 25°c (unless otherwise stated) ciss input capacitance vds=30v,vgs=0v, f=1mhz 2210 2600 2990 pf coss output capacitance 860 1010 1160 pf crss reverse transfer capacitance 25 35 45 pf rg gate resistance f=1mhz -- 1.1 -- ω qg (10v) total gate charge vds=30v,id=20a, vgs=10v -- 38 -- nc qg (4.5v) total gate charge -- 19 -- nc qgs gate-source charge -- 8 -- nc qgd gate-drain charge -- 5.9 -- nc switching characteristics d(on) t turn-on delay time vdd=30v, id=20a, rg=3ω, vgs=10v -- 11 -- ns r t turn-on rise time -- 18 -- ns d(off) t turn-off delay time -- 28 -- ns f t turn-off fall time -- 10 -- ns
深圳市華鉆電子有限公司成立于2004年,位于廣東省深圳市,同時還分別下設有中山、寧波和西安分公司,是一家代理及分銷國內外各大品牌電元器件的電子科技公司,具有豐富的電子行業經驗,所供應的產品應用于led照明,led顯示,led電源,led模組,通訊,無線充電及航天航空電子產品領域。
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