晶圓等離子清洗機芯片固晶前PAD等離子清洗刻蝕

晶圓（wafer）清洗分為濕法清洗和干法清洗，等離子清洗屬于后者，主要是去除晶圓表面肉眼看不到的表面污染物。其清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內，然后抽取真空，達到一定真空度后通入反應氣體，這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發生化學和物理反應，生成可揮發性物質被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。
1 清洗晶圓的等離子清洗機
1-1 等離子清洗晶圓是在千級以上的無塵室中進行的，對particle的要求極高，任何超標的particle存在，都會造成晶圓不可挽回的缺陷。所以設計等離子清洗機的腔體首先一定要是鋁質，而不是不銹鋼材質；擺放晶圓的托架滑動部分，要盡量采用不容易產生粉塵和被等離子腐蝕的材料；電極和托架方便拆卸，便于日常維護。
1-2 等離子清洗機反應腔體內的電極間距和層數，以及氣路分布，對于晶圓處理的均勻性都重大的影響，這些指標都需要不斷試驗來優化。
1-3 等離子清洗晶圓的過程中，會產生一定的熱量累積，處于工藝的需要，維持電極板的溫度在一定范圍是必要的，所以通常會給等離子清洗機的電極加上水冷。
1-4 多層電極的等離子清洗機產能比較高，可以根據需要每一層托架上擺放多片晶圓，比較適合于半導體分立器件、電力電子元器件專用4寸及6寸晶圓的光刻底膜去除等。
2 晶圓級封裝前處理的等離子清洗機
2-1 晶圓級封裝（wlp，wafer level package）是先進的芯片封裝方式之一，即整片晶圓生產完成后，直接在晶圓上面進行封裝和測試，然后把整個晶圓切割開來分成單顆晶粒；電氣連接部分采用用銅凸塊（copper bump）取代打線（wire bond）的方法，所以沒有打線或填膠工藝。
2-2 晶圓級封裝前處理的目的是去除表面的無機物，還原氧化層，增加銅表面的粗糙度，提高產品的可靠性。
2-3 晶圓級封裝前處理的等離子清洗機由于產能的需要，真空反應腔體、電極結構、氣流分布、水冷裝置、均勻性等方面的設計會有顯著區別。
2-4 芯片制作完成后殘余的光刻膠無法用濕式法清洗，只能通過等離子的方式進行去除，然而光刻膠較厚無法確定，所以需要去調整相應的工藝參數。